本实验室以原位微区制样技术为基础，主要开展各种类型样品的原位微区制样，同时也可对样品开展高分辨成像、成分分析、三维重构等工作，在材料科学、微纳加工、半导体器件制造、纳米生物、地质学等多领域均有重要作用。

实验室目前可开展的测试项目有：

1）聚焦离子束切片；

2）扫描电镜二次电子成像；

3）扫描电镜背散射成像；

4）扫描电镜能谱分析；

5）扫描电镜能谱拼图；

6）扫描电镜背散射成像Maps拼图；

7）电子背散射衍射EBSD;

8）扫描电镜三维重构；

9）扫描透射STEM成像。

实验室配备有FEI SCIOS双束扫描电镜一台，超薄切片机一台，同时配套样品前处理系统，包括喷金仪一台，喷碳仪一台，振动抛光机一台，电子天平一台。

FEI SCIOS双束扫描电镜

1、仪器基本情况

仪器位于一号楼1104室，主要用于聚焦离子束切片以及固体样品的形貌观察和成分分析。

双束扫描电镜集合了聚焦离子束（FIB）的加工能力、材料沉积能力和扫描电子显微镜的观察分析能力，实现了纳米规模的快速加工与成型，高分辨的三维表征与分析以及进行定位TEM样品制备和截面分析等功能。该设备上配有STEM，EDS,EBSD等附件，以及3D图像技术，Maps等软件。全套三维重构软件能实现标准样品电子图像（SE和BSE图像、EDS、EBSD）的三维重构，协助用户实现实际样品的三维重构工作。高分辨拼图功能可将高分辨图像进行大面积拼接，并可读取拼接图在任意点的高分辨图像。

2、指标及参数

离子束系统：分辨率≤5.0nm@30kV,加速电压为0.5kV-30kV,束流强度0.6pA-65nA;

电子束系统：分辨率≤2nm@30kV(二次电子)，≤1.0nm@15kV(二次电子)，≤1.6nm@1kV(二次电子)，STEM分辨率:≤0.8nm@30kV(二次电子)，≤3nm@30kV(背散射电子)，束流强度最小束流为1pA,最大束流400nA;

能谱仪：晶体有效检测面积不小于100mm2,能量分辨率优于129eV(STD),最大计数率1600000cps,最大输出计数率＞800000cps;

EBSD:扫描和指标化速度：1000点/秒，取向测量精度优于0.1度；

全套三维重构软件；

高分辨拼图功能。

双束电镜

实验室预约流程

1. 中科院系统师生请前往中科院仪器共享平台或地化所实验预约系统，填写实验预约申请，经审核通过，填写分析测试申请表(见附件)；其他科研院校人员可先填写分析测试申请表预约实验，并委托实验技术人员代为填写网上预约。在填写“分析测试申请表”时，请参考本网页公布的收费标准，重点填写预计分析费等内容，并有导师确认签字。

2. 通过电子邮件发送申请表扫描件到实验室负责人对应的邮箱或者电话联系实验室技术人员安排实验，开展实验当天请提交纸质版申请表。

实验室收费标准

用户须知

聚焦离子束切片实验应用范围广、适用性强，可针对各种不同固体样品，但样品需进行前处理以及定位工作，请用户在进入本实验室开展实验之前，务必阅读相关注意事项及文献，提前了解样品准备和技术方法等。 

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